ترانزیستور

ترانزیستور

برای این که دیود ها از دو لایه ناخالصی N و P تشکیل میابند به آن ها نیمه هادی های دو لایه میگویند. ترانزیستور ها ار سه لایه ناخالصی تشکیل یافته اند و به همین علت به آن ها نیمه هادی های سه لایه گفته میشود. شکل زیر نمونه ای از ترانزیستور ها نشان می دهد.
نمونه های مختلف از ترانزیستور
نمونه های مختلف از ترانزیستور
 
در واقع میتوان گفت ترانزیستور از دو عدد دیود تشکیل میابد. شکل زیر این مطلب را نشان میدهد.
ساختار داخلی ترانزیستور مثبت و منفی
با ترکیب ناخالصی ها دو نوع ترانزیستور قابل تهیه میباشد به این صورت که اگر یک ناخالصی نوع N  در وسط و دو ناخالصی نوع P در کنار قرار گیرند ترانزیستور مثبت و اگر یک ناخالصی نوع p در وسط و دو ناخالصی نوع N در کناره ها قرار گیرند ترانزیستور نوع منفی ایجاد میشود. ترانزیستور ها دارای سه پایه به نام های بیس B ، کلکتور C و امیتر E می باشند که بیس پایه اصلی وکنترل کننده جریان عبوری از ترانزیستور ، کلکتور جمع کننده و امیتر پخش کننده جریان میباشد . 
تشخیص این سه پایه در ترانزیستور اهمیت زیادی از نظر تست، تعویض و جایگذاری آن در مدار دارد . بنابر این تشخیص پایه های ترانزیستور توضیح داده میشود . 
 

انواع ترانزیستور :

عموما ترانزیستور ها را به دو دسته کلی تقسیم میکنند: 
_ اتصال دو قطبی Bypolar junction Transistor-BJT
_ ترانزیستور اثر میدانی Field Effect Transistors-FET
در ترانزیستور اتصال دو قطبی با اعمال یک جریان به پایه بیس جریان عبوری از دو پایه کلکتور و امیتر کنترل میشود. ترانزیستور های دو قطبی پیوندی در دو نوع npn و pnp ساخته میشوند. بسته به حالت بایاس این ترانزیستور ها ممکن است در ناحیه قطع ، فعال و یا اشباع کار کنند . در ترانزیستور اثر میدانی با اعمال یک ولتاژ به پایه گیت میزان جریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل میشود. ترانزیستور اثر میدانی بر دو نوع  N و P است. 
این ترانزیستورها در دو نوع افزایشی و تخلیه ای ساخته میشوند. در این مبحث عموما به ترانزیستور BJT پرداخته میشود. 

تغذیه ترانزیستور :

برای این که بتوان ترانزیستور را به عنوان تقویت کننده استفاده نمود . باید آن را با ولتاژ dc تغذیه نماییم . ولتاژ پایه های ترانزیستور را با بایاسینگ ترانزیستور می نامند .
بدین منظور باید بایا سینگ ترانزیستور به این دو روش انجام شود: 
_ اتصال – امیتر در بایاس مستقیم 
_ اتصال بیس – کلکتور در بایاس معکوس 
جریانی که از کلکتور عبور میکند با حروف Ic  و جریانی که از بیس عبور میکند با حروف IB و جریانی که از کلکتور عبور میکند با حروف IE نشان میدهند همانطور که در شکل مشخص شده جریانی از امیتر عبور می کند به دو انشعاب تقسیم میشود. قسمت بسیار کمی از جریان از بیس عبور کرده و قسمت اعظم آن از کلکتور عبور میکند. لذا جریان امیتر ازاین رابطه به دست می آید.

IE= IB+IC

 

 
 
 
این رابطه در مورد هر دو نوع ترانزیستور NPN و PNP صادق است. برای سادگی بیشتر جهت قرار دادی جریان را در نظر میگیرند که از قطب مثبت به قطب منفی می باشد.

جهت جریان در ترانزیستور

جهت جریان در ترانزیستور

منبع:

مقالات مرتبط

پاسخ‌ها

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *